casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT29F128G08CFAABWP-12Z:A
Número de pieza del fabricante | MT29F128G08CFAABWP-12Z:A |
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Número de parte futuro | FT-MT29F128G08CFAABWP-12Z:A |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT29F128G08CFAABWP-12Z:A Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NAND |
Tamaño de la memoria | 128Gb (16G x 8) |
Frecuencia de reloj | 83MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 48-TSOP I |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F128G08CFAABWP-12Z:A Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MT29F128G08CFAABWP-12Z:A-FT |
M29W320EB70N6F TR
Micron Technology Inc.
M29W320ET70N6E
Micron Technology Inc.
M29W320ET70N6F TR
Micron Technology Inc.
M29W400BB90N1
Micron Technology Inc.
M29W400BB90N6
Micron Technology Inc.
M29W400BT70N6
Micron Technology Inc.
M29W400BT90N1
Micron Technology Inc.
M29W400DB55N1
Micron Technology Inc.
M29W400DB55N6
Micron Technology Inc.
M29W400DB55N6E
Micron Technology Inc.
LCMXO2-640ZE-1TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE50F484C2
Intel
EP4CE115F23I8L
Intel
XC7VX415T-1FFG1157I
Xilinx Inc.
LFXP3E-4Q208I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-6FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-640E-6MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C2N
Intel
EP20K100BC356-2N
Intel
EP4SGX360FF35C4
Intel