casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / M29W400DB55N6E
Número de pieza del fabricante | M29W400DB55N6E |
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Número de parte futuro | FT-M29W400DB55N6E |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
M29W400DB55N6E Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NOR |
Tamaño de la memoria | 4Mb (512K x 8, 256K x 16) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 55ns |
Tiempo de acceso | 55ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 48-TSOP |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M29W400DB55N6E Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | M29W400DB55N6E-FT |
M28W320FCT70N6E
Micron Technology Inc.
M28W320FCT70N6F TR
Micron Technology Inc.
M28W640FCB70N6F TR
Micron Technology Inc.
M28W640FCT70N6E
Micron Technology Inc.
M28W640FCT70N6F TR
Micron Technology Inc.
M28W640HCB70N6E
Micron Technology Inc.
M28W640HCB70N6F TR
Micron Technology Inc.
M28W640HCT70N6F TR
Micron Technology Inc.
M29DW323DB70N6
Micron Technology Inc.
M29DW323DB70N6E
Micron Technology Inc.
XC7K325T-L2FBG676E
Xilinx Inc.
A54SX08A-1PQ208I
Microsemi Corporation
LCMXO3L-2100E-5UWG49ITR50
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5U-85F-8BG756C
Lattice Semiconductor Corporation
A3P030-2VQ100
Microsemi Corporation
EP3C55U484C8
Intel
EPF10K30EFC484-2
Intel
5SGXEB6R3F43C2LN
Intel
XC5VLX50T-1FFG665I
Xilinx Inc.
EPF10K30EQC208-2
Intel