casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / M29W400DB55N6E
Número de pieza del fabricante | M29W400DB55N6E |
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Número de parte futuro | FT-M29W400DB55N6E |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
M29W400DB55N6E Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NOR |
Tamaño de la memoria | 4Mb (512K x 8, 256K x 16) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 55ns |
Tiempo de acceso | 55ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 48-TSOP |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M29W400DB55N6E Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | M29W400DB55N6E-FT |
M28W320FCT70N6E
Micron Technology Inc.
M28W320FCT70N6F TR
Micron Technology Inc.
M28W640FCB70N6F TR
Micron Technology Inc.
M28W640FCT70N6E
Micron Technology Inc.
M28W640FCT70N6F TR
Micron Technology Inc.
M28W640HCB70N6E
Micron Technology Inc.
M28W640HCB70N6F TR
Micron Technology Inc.
M28W640HCT70N6F TR
Micron Technology Inc.
M29DW323DB70N6
Micron Technology Inc.
M29DW323DB70N6E
Micron Technology Inc.
A3PN020-QNG68
Microsemi Corporation
LCMXO640E-4TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S200AN-4FTG256C
Xilinx Inc.
XCV812E-6FG900C
Xilinx Inc.
XC7A50T-2CS325I
Xilinx Inc.
5CEBA9F27C7N
Intel
5SGXEA5H1F35I2N
Intel
LFE2-35SE-5FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA3D4F31I3G
Intel
EPF10K30AQC208-1N
Intel