casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / M29W400DB55N6E
Número de pieza del fabricante | M29W400DB55N6E |
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Número de parte futuro | FT-M29W400DB55N6E |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
M29W400DB55N6E Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NOR |
Tamaño de la memoria | 4Mb (512K x 8, 256K x 16) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 55ns |
Tiempo de acceso | 55ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 48-TSOP |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M29W400DB55N6E Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | M29W400DB55N6E-FT |
M28W320FCT70N6E
Micron Technology Inc.
M28W320FCT70N6F TR
Micron Technology Inc.
M28W640FCB70N6F TR
Micron Technology Inc.
M28W640FCT70N6E
Micron Technology Inc.
M28W640FCT70N6F TR
Micron Technology Inc.
M28W640HCB70N6E
Micron Technology Inc.
M28W640HCB70N6F TR
Micron Technology Inc.
M28W640HCT70N6F TR
Micron Technology Inc.
M29DW323DB70N6
Micron Technology Inc.
M29DW323DB70N6E
Micron Technology Inc.
A54SX08A-PQG208A
Microsemi Corporation
M1AGL250V5-VQ100I
Microsemi Corporation
EP4CE40F23C8N
Intel
5AGXMA5D4F27I5N
Intel
XC7V585T-2FF1761I
Xilinx Inc.
LFE5U-12F-8BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA2F23I7N
Intel
10AX090R2F40E2SG
Intel
EP4CGX110DF31C8
Intel
EP2S180F1508C5
Intel