casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / M28W640HCB70N6E
Número de pieza del fabricante | M28W640HCB70N6E |
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Número de parte futuro | FT-M28W640HCB70N6E |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
M28W640HCB70N6E Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NOR |
Tamaño de la memoria | 64Mb (4M x 16) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 70ns |
Tiempo de acceso | 70ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 48-TSOP |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M28W640HCB70N6E Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | M28W640HCB70N6E-FT |
MT29F1G01AAADDH4-IT:D
Micron Technology Inc.
MT29F1G01AAADDH4-ITX:D
Micron Technology Inc.
MT29F1G01AAADDH4:D
Micron Technology Inc.
MT29F1G08ABADAH4-ITX:D
Micron Technology Inc.
MT29F1G08ABADAH4:D
Micron Technology Inc.
MT29F1G08ABAEAH4-ITX:E
Micron Technology Inc.
MT29F1G08ABBDAH4-IT:D
Micron Technology Inc.
MT29F1G08ABBDAH4-ITX:D
Micron Technology Inc.
MT29F1G08ABBDAH4:D
Micron Technology Inc.
MT29F1G08ABBDAHC-IT:D
Micron Technology Inc.
XC2S150-5FGG456I
Xilinx Inc.
XC6SLX25-2FGG484I
Xilinx Inc.
XC7A100T-1FGG484I
Xilinx Inc.
A42MX36-2PQG208
Microsemi Corporation
LFE5UM-45F-7BG554I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C8F256C7
Intel
5SGXEB6R2F40C2L
Intel
EP4CGX15BF14C7N
Intel
XC4VLX40-10FFG668C
Xilinx Inc.
EP1S30F1020C7N
Intel