casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT29F1G08ABADAH4:D
Número de pieza del fabricante | MT29F1G08ABADAH4:D |
---|---|
Número de parte futuro | FT-MT29F1G08ABADAH4:D |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT29F1G08ABADAH4:D Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NAND |
Tamaño de la memoria | 1Gb (128M x 8) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 63-VFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 63-VFBGA (9x11) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F1G08ABADAH4:D Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MT29F1G08ABADAH4:D-FT |
MT41K128M16JT-107 IT:K
Micron Technology Inc.
MT41K128M16JT-107 IT:K TR
Micron Technology Inc.
MT41K128M16JT-125 IT:K TR
Micron Technology Inc.
MT41K128M16JT-125 M AIT:K
Micron Technology Inc.
MT41K128M16JT-125 M AIT:K TR
Micron Technology Inc.
MT41K128M16JT-125 XIT:K TR
Micron Technology Inc.
MT41K256M16TW-107 AAT:P
Micron Technology Inc.
MT41K256M16TW-107 AIT:P TR
Micron Technology Inc.
MT41K256M16TW-107 XIT:P TR
Micron Technology Inc.
MT41K64M16TW-107 AAT:J
Micron Technology Inc.
A42MX36-BGG272
Microsemi Corporation
A3PN125-Z2VQ100
Microsemi Corporation
EP2C70F672I8
Intel
EP4CGX110DF27C8N
Intel
EP20K30EFI144-2X
Intel
XC7K480T-L2FFG901I
Xilinx Inc.
XC7A25T-1CPG238I
Xilinx Inc.
LCMXO2-4000HC-6FG484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F780C5N
Intel
EP1C12F324C7N
Intel