casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT28FW512ABA1HJS-0AAT
Número de pieza del fabricante | MT28FW512ABA1HJS-0AAT |
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Número de parte futuro | FT-MT28FW512ABA1HJS-0AAT |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q100 |
MT28FW512ABA1HJS-0AAT Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NOR |
Tamaño de la memoria | 512Mb (32M x 16) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 60ns |
Tiempo de acceso | 105ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.7V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 105°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 56-TSOP (14x20) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT28FW512ABA1HJS-0AAT Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MT28FW512ABA1HJS-0AAT-FT |
M68AW128ML70ZB6
STMicroelectronics
M68AW256ML70ZB6
STMicroelectronics
M87C257-15C1
STMicroelectronics
M87C257-15C6
STMicroelectronics
M87C257-90C1
STMicroelectronics
M87C257-90C1TR
STMicroelectronics
M95160-RCS6TP/S
STMicroelectronics
M95M01-RCS6TP/A
STMicroelectronics
MB85R256GPF-G-BND-ERE1
Fujitsu Electronics America, Inc.
MB85R256GPF-G-BNDE1
Fujitsu Electronics America, Inc.
M1AFS600-2FG484
Microsemi Corporation
AGL060V5-VQG100I
Microsemi Corporation
AGLN060V5-VQG100I
Microsemi Corporation
5SGXEA7N2F40C3N
Intel
5CGXFC4F6M11C7N
Intel
5SGXEB6R3F43C3
Intel
EP4SGX360KF43I4
Intel
XC4VFX60-10FF672C
Xilinx Inc.
LCMXO1200E-4M132I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K400EBC652-2X
Intel