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Fujitsu Electronics America, Inc. MB85R256GPF-G-BND-ERE1

Name: MB85R256GPF-G-BND-ERE1
Brand: Fujitsu Electronics America, Inc.
SKU: MB85R256GPF-G-BND-ERE1
Availability: InStock
Rating: 4.8 (311 reviews)

Número de pieza de MFG: MB85R256GPF-G-BND-ERE1

Cantidad disponible: 28450 Piezas

Precio de referencia: USD 0

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Fecha de envío: Podemos enviar hoy

fabricante: Fujitsu Electronics America, Inc.

Breve descripción: - IC FRAM 256K PARALLEL 28SOP

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Memoria

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: MB85R256GPF-G-BND-ERE1.pdf

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MB85R256GPF-G-BND-ERE1 Presupuesto

Número de pieza del fabricante	MB85R256GPF-G-BND-ERE1
Número de parte futuro	FT-MB85R256GPF-G-BND-ERE1
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
MB85R256GPF-G-BND-ERE1 Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Obsolete
Tipo de memoria	Non-Volatile
Formato de memoria	FRAM
Tecnología	FRAM (Ferroelectric RAM)
Tamaño de la memoria	256Kb (32K x 8)
Frecuencia de reloj	-
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página	150ns
Tiempo de acceso	150ns
interfaz de memoria	Parallel
Suministro de voltaje	2.7V ~ 3.6V
Temperatura de funcionamiento	-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montaje	-
Paquete / Caja	-
Paquete del dispositivo del proveedor	-
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
MB85R256GPF-G-BND-ERE1 Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	MB85R256GPF-G-BND-ERE1-FT

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