casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT25QU02GCBB8E12-0AAT TR
Número de pieza del fabricante | MT25QU02GCBB8E12-0AAT TR |
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Número de parte futuro | FT-MT25QU02GCBB8E12-0AAT TR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q100 |
MT25QU02GCBB8E12-0AAT TR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NOR |
Tamaño de la memoria | 2Gb (256M x 8) |
Frecuencia de reloj | 133MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 8ms, 2.8ms |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | SPI |
Suministro de voltaje | 1.7V ~ 2V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 105°C (TC) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 24-TBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 24-T-PBGA (6x8) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT25QU02GCBB8E12-0AAT TR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MT25QU02GCBB8E12-0AAT TR-FT |
MT53B384M64D4NK-053 WT:B TR
Micron Technology Inc.
MT53D256M64D4NY-046 XT:B
Micron Technology Inc.
MT53D256M64D4NY-046 XT:B TR
Micron Technology Inc.
MT53D512M16D1Z11MWC2
Micron Technology Inc.
MT53D512M64D4RQ-046 WT:E
Micron Technology Inc.
MT53D512M64D4RQ-046 WT:E TR
Micron Technology Inc.
MT53D512M64D4RQ-053 WT:E
Micron Technology Inc.
MT53D512M64D4RQ-053 WT:E TR
Micron Technology Inc.
MTA36ASF4G72PZ-2G9E2
Micron Technology Inc.
MTA4ATF51264AZ-2G6E1
Micron Technology Inc.
XC2S15-5TQG144I
Xilinx Inc.
XCV100E-6FG256C
Xilinx Inc.
XC7K70T-3FBG676E
Xilinx Inc.
LFE2M70SE-7F1152C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K10ATC100-1
Intel
EP3SL200F1517I4L
Intel
XC5VLX110-2FFG1760I
Xilinx Inc.
10AX115S3F45I2SG
Intel
EP20K200CB652C7ES
Intel
EPF8820AQC160-3
Intel