casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / MS108E3/TR8
Número de pieza del fabricante | MS108E3/TR8 |
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Número de parte futuro | FT-MS108E3/TR8 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MS108E3/TR8 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de diodo | Schottky |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 80V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 1A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 810mV @ 1A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | - |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 100µA @ 80V |
Capacitancia a Vr, F | - |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | DO-204AL, DO-41, Axial |
Paquete del dispositivo del proveedor | DO-204AL (DO-41) |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -55°C ~ 175°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MS108E3/TR8 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MS108E3/TR8-FT |
1N649-1
Microsemi Corporation
1N645-1
Microsemi Corporation
1N4153-1
Microsemi Corporation
1N5711-1
Microsemi Corporation
1N4150-1
Microsemi Corporation
1N5712
Microsemi Corporation
1N3595-1
Microsemi Corporation
1N3600
Microsemi Corporation
1N4446
Microsemi Corporation
1N4154
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3T100C
Lattice Semiconductor Corporation
MPF300TS-1FCG484I
Microsemi Corporation
EP1S20F672C6
Intel
EPF10K100ABI600-2
Intel
EP3C25F256A7N
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5SGXMA4K2F40C1N
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10CL016ZE144I8G
Intel
5AGXMA3D4F27I3N
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A54SX08A-TQG100
Microsemi Corporation
5CGTFD9C5F23I7N
Intel