Número de pieza del fabricante | 1N5712 |
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Número de parte futuro | FT-1N5712 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
1N5712 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Schottky |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 20V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 75mA |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1V @ 35mA |
Velocidad | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | - |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 150nA @ 16V |
Capacitancia a Vr, F | 2pF @ 0V, 1MHz |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | DO-204AH, DO-35, Axial |
Paquete del dispositivo del proveedor | DO-35 (DO-204AH) |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -65°C ~ 150°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N5712 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 1N5712-FT |
JANTX1N5194
Microsemi Corporation
JANTX1N5190
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JANTX1N3891
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EPF8820ATC144-3
Intel
XC2V6000-4FFG1517I
Xilinx Inc.
AT40K20-2EQC
Microchip Technology
XC7A75T-L1CSG324I
Xilinx Inc.
M1A3P1000-1FGG144I
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-5M132C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090N2F40E2LG
Intel
EP3SL150F780I4
Intel
EP1C4F324I7N
Intel