casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / MMIX1F210N30P3
IXYS MMIX1F210N30P3
- Número de pieza de MFG
- MMIX1F210N30P3
- Cantidad disponible
- 27840 Piezas
- Precio de referencia
- USD 23.47248
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- Fecha de envío
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- fabricante
- IXYS
- Breve descripción
- HiPerFET™, Polar3™ MOSFET N-CH 300V 108A MMIX
- Estado sin plomo / estado RoHS
- Cumple con RoHS (sin plomo)
- Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
- 1 (ilimitado)
- Código de fecha (D / C)
- Nuevo
- categoria de producto
- Transistores - FETs, MOSFETs - Single
- Recurso de stock
- Distribuidor Franquiciado
- Garantía
- Garantía de calidad de 360 días.
- ficha de datos
- MMIX1F210N30P3.pdf
MMIX1F210N30P3 Presupuesto
| Número de pieza del fabricante | MMIX1F210N30P3 |
|---|---|
| Número de parte futuro | FT-MMIX1F210N30P3 |
| SPQ / MOQ | Contáctenos |
| Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
| serie | HiPerFET™, Polar3™ |
| MMIX1F210N30P3 Estado (ciclo de vida) | En stock |
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 300V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 108A (Tc) |
| Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16 mOhm @ 105A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 8mA |
| Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Vgs (Max) | - |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 16200pF @ 25V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (max) | - |
| Temperatura de funcionamiento | - |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete del dispositivo del proveedor | 24-SMPD |
| Paquete / Caja | 24-PowerSMD, 21 Leads |
| País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| MMIX1F210N30P3 Peso | Contáctenos |
| Número de pieza de repuesto | MMIX1F210N30P3-FT |
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