casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - RF / MMBTH10-7-F
Número de pieza del fabricante | MMBTH10-7-F |
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Número de parte futuro | FT-MMBTH10-7-F |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MMBTH10-7-F Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de transistor | NPN |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 25V |
Frecuencia - Transición | 650MHz |
Figura de ruido (dB Typ @ f) | - |
Ganancia | - |
Potencia - max | 300mW |
Ganancia de corriente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 4mA, 10V |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | 50mA |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Paquete del dispositivo del proveedor | SOT-23-3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MMBTH10-7-F Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MMBTH10-7-F-FT |
BFG325/XR,215
NXP USA Inc.
BFG520/XR,215
NXP USA Inc.
BFG520/XR,235
NXP USA Inc.
BFG540/XR,215
NXP USA Inc.
NE68039R-T1
CEL
NE68039R-T1-A
CEL
NE68139R-T1
CEL
NE68139R-T1-A
CEL
NE85639R-T1
CEL
NE85639R-T1-A
CEL
XC3S4000-4FGG676C
Xilinx Inc.
XC7A100T-L2FGG676E
Xilinx Inc.
XC6SLX150T-3FG900I
Xilinx Inc.
M2GL005-1FGG484
Microsemi Corporation
EP1S10F672C7N
Intel
10AX022E3F27E2SG
Intel
XC7VX415T-3FFG1157E
Xilinx Inc.
LCMXO640E-3M132C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBB1D4F31C5N
Intel
EPF6016QI208-3
Intel