casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - RF / NE85639R-T1-A
Número de pieza del fabricante | NE85639R-T1-A |
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Número de parte futuro | FT-NE85639R-T1-A |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NE85639R-T1-A Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de transistor | NPN |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 12V |
Frecuencia - Transición | 9GHz |
Figura de ruido (dB Typ @ f) | 1.5dB ~ 2.1dB @ 1GHz |
Ganancia | 13.5dB |
Potencia - max | 200mW |
Ganancia de corriente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 20mA, 10V |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | 100mA |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | SOT-143R |
Paquete del dispositivo del proveedor | SOT-143R |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NE85639R-T1-A Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | NE85639R-T1-A-FT |
BFS17,235
NXP USA Inc.
BFS17A,215
NXP USA Inc.
BFS17A,235
NXP USA Inc.
BFT92,215
NXP USA Inc.
BFT93,215
NXP USA Inc.
PBR941B,215
NXP USA Inc.
PBR951,215
NXP USA Inc.
BFG198,115
NXP USA Inc.
BFG591,115
NXP USA Inc.
2N3866
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-5T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX45-3FGG676I
Xilinx Inc.
A3P1000-FGG484M
Microsemi Corporation
M1A3PE3000L-FGG484
Microsemi Corporation
EP4CE15F23C7
Intel
XC4028XL-3HQ208C
Xilinx Inc.
LFXP2-5E-5QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-20E-6F256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-12SE-5FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF8282ALC84-4N
Intel