casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - RF / NE85639R-T1-A
Número de pieza del fabricante | NE85639R-T1-A |
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Número de parte futuro | FT-NE85639R-T1-A |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NE85639R-T1-A Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de transistor | NPN |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 12V |
Frecuencia - Transición | 9GHz |
Figura de ruido (dB Typ @ f) | 1.5dB ~ 2.1dB @ 1GHz |
Ganancia | 13.5dB |
Potencia - max | 200mW |
Ganancia de corriente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 20mA, 10V |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | 100mA |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | SOT-143R |
Paquete del dispositivo del proveedor | SOT-143R |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NE85639R-T1-A Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | NE85639R-T1-A-FT |
BFS17,235
NXP USA Inc.
BFS17A,215
NXP USA Inc.
BFS17A,235
NXP USA Inc.
BFT92,215
NXP USA Inc.
BFT93,215
NXP USA Inc.
PBR941B,215
NXP USA Inc.
PBR951,215
NXP USA Inc.
BFG198,115
NXP USA Inc.
BFG591,115
NXP USA Inc.
2N3866
Microsemi Corporation
A1020B-VQ80I
Microsemi Corporation
XC2VP40-6FGG676I
Xilinx Inc.
APA600-FGG256M
Microsemi Corporation
AT40K10LV-3EQC
Microchip Technology
AT6010H-2QI
Microchip Technology
5SGXMB9R2H43I3N
Intel
5SGXEA9K3H40I3LN
Intel
5SGXEA7H1F35C2N
Intel
5SGXMA5K2F35I2N
Intel
5CEBA5U19C8N
Intel