casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Solo / MJD350G
Número de pieza del fabricante | MJD350G |
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Número de parte futuro | FT-MJD350G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MJD350G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de transistor | PNP |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | 500mA |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 300V |
Saturación Vce (Max) @ Ib, Ic | - |
Corriente - Corte del colector (Máx.) | 100µA |
Ganancia de corriente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 50mA, 10V |
Potencia - max | 1.56W |
Frecuencia - Transición | - |
Temperatura de funcionamiento | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Paquete del dispositivo del proveedor | DPAK |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MJD350G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MJD350G-FT |
NJVMJD112T4G
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A54SX32A-FTQ144
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LCMXO1200E-4FT256C
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EP2AGZ300HF40I4N
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EP3SE260H780C3N
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5SGXEA4H1F35I2N
Intel
XC5VSX35T-2FF665I
Xilinx Inc.
M2GL060TS-1FGG676
Microsemi Corporation
LFE2-70E-6F672C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000HE-5BG332I
Lattice Semiconductor Corporation