casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Solo / MJD50T4G
Número de pieza del fabricante | MJD50T4G |
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Número de parte futuro | FT-MJD50T4G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MJD50T4G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de transistor | NPN |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | 1A |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 400V |
Saturación Vce (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 200mA, 1A |
Corriente - Corte del colector (Máx.) | 200µA |
Ganancia de corriente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 300mA, 10V |
Potencia - max | 1.56W |
Frecuencia - Transición | 10MHz |
Temperatura de funcionamiento | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Paquete del dispositivo del proveedor | DPAK |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MJD50T4G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MJD50T4G-FT |
NSVBC817-40WT1G
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M1A3P600-1FG256I
Microsemi Corporation
A40MX02-3PLG68
Microsemi Corporation
XC4013XL-1HT176I
Xilinx Inc.
EP3CLS100U484I7N
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5SGXEA7K3F40C2
Intel
XC6VLX195T-2FFG784C
Xilinx Inc.
LCMXO2-4000ZE-2BG332I
Lattice Semiconductor Corporation