casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - RF / MEST2G-025-10-CM32
Número de pieza del fabricante | MEST2G-025-10-CM32 |
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Número de parte futuro | FT-MEST2G-025-10-CM32 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MEST2G-025-10-CM32 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | PIN - Single |
Voltaje: pico inverso (máximo) | - |
Actual - max | 200mA |
Capacitancia a Vr, F | 0.22pF @ 50V, 1MHz |
Resistencia @ Si, F | 1.25 Ohm @ 100mA, 100MHz |
Disipación de potencia (max) | - |
Temperatura de funcionamiento | - |
Paquete / Caja | CM32 |
Paquete del dispositivo del proveedor | CM32 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MEST2G-025-10-CM32 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MEST2G-025-10-CM32-FT |
BAP50-02,115
NXP USA Inc.
BAP65-02,135
NXP USA Inc.
BA277,115
NXP USA Inc.
BA277,135
NXP USA Inc.
BA277,335
NXP USA Inc.
BA278,115
NXP USA Inc.
BAP1321-02,115
NXP USA Inc.
BAP63-02,115
NXP USA Inc.
MADP-007455-12790T
M/A-Com Technology Solutions
BA792,115
NXP USA Inc.
LFXP3E-3TN144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1200E-4FTG256I
Xilinx Inc.
M2GL010T-FGG484
Microsemi Corporation
AFS250-FG256I
Microsemi Corporation
5SGXMA5N3F40I4N
Intel
5SGXMA7K3F35C2LN
Intel
XC4020XL-2BG256I
Xilinx Inc.
XC7K410T-2FB900I
Xilinx Inc.
5CGXBC3B6F23C7N
Intel
EP2AGX125EF29C6N
Intel