casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - RF / MDS1100
Número de pieza del fabricante | MDS1100 |
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Número de parte futuro | FT-MDS1100 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MDS1100 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de transistor | NPN |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 65V |
Frecuencia - Transición | 1.03GHz |
Figura de ruido (dB Typ @ f) | - |
Ganancia | 8.9dB |
Potencia - max | 8750W |
Ganancia de corriente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 20 @ 5A, 5V |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | 100A |
Temperatura de funcionamiento | 200°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 55TU-1 |
Paquete del dispositivo del proveedor | 55TU-1 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MDS1100 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MDS1100-FT |
HFA3128RZ96
Renesas Electronics America Inc.
BFQ790H6327XTSA1
Infineon Technologies
BFQ19SH6327XTSA1
Infineon Technologies
BFQ 19S E6327
Infineon Technologies
BFP650FH6327XTSA1
Infineon Technologies
BFP540FESDH6327XTSA1
Infineon Technologies
BFP740FESDH6327XTSA1
Infineon Technologies
BFP740FH6327XTSA1
Infineon Technologies
BFP420FH6327XTSA1
Infineon Technologies
BFP405FH6327XTSA1
Infineon Technologies
LFE2M100SE-7FN1152C
Lattice Semiconductor Corporation
A3P125-VQ100I
Microsemi Corporation
EP4CGX75DF27C6
Intel
5SGSED6K3F40I3L
Intel
EP4SGX530KH40C2
Intel
AGL600V2-CS281I
Microsemi Corporation
AGL250V5-CSG196
Microsemi Corporation
LFXP6C-3FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-12SE-7F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1K100QC208-2NGZ
Intel