casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - RF / MDS1100
Número de pieza del fabricante | MDS1100 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-MDS1100 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MDS1100 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de transistor | NPN |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 65V |
Frecuencia - Transición | 1.03GHz |
Figura de ruido (dB Typ @ f) | - |
Ganancia | 8.9dB |
Potencia - max | 8750W |
Ganancia de corriente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 20 @ 5A, 5V |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | 100A |
Temperatura de funcionamiento | 200°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 55TU-1 |
Paquete del dispositivo del proveedor | 55TU-1 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MDS1100 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MDS1100-FT |
HFA3128RZ96
Renesas Electronics America Inc.
BFQ790H6327XTSA1
Infineon Technologies
BFQ19SH6327XTSA1
Infineon Technologies
BFQ 19S E6327
Infineon Technologies
BFP650FH6327XTSA1
Infineon Technologies
BFP540FESDH6327XTSA1
Infineon Technologies
BFP740FESDH6327XTSA1
Infineon Technologies
BFP740FH6327XTSA1
Infineon Technologies
BFP420FH6327XTSA1
Infineon Technologies
BFP405FH6327XTSA1
Infineon Technologies
XC3S500E-5PQG208C
Xilinx Inc.
XC7A35T-1CSG325C
Xilinx Inc.
EP20K600EFC672-2N
Intel
EPF10K200SFC484-2
Intel
5SGXEA7N3F40C2N
Intel
EP4SE360H29C4
Intel
5SGXEA5N2F45C1N
Intel
XC7VX550T-L2FFG1158E
Xilinx Inc.
XC6SLX45T-2CSG324C
Xilinx Inc.
LAE3-17EA-6FN484E
Lattice Semiconductor Corporation