casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - RF / BFP740FESDH6327XTSA1
Número de pieza del fabricante | BFP740FESDH6327XTSA1 |
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Número de parte futuro | FT-BFP740FESDH6327XTSA1 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BFP740FESDH6327XTSA1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de transistor | NPN |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 4.7V |
Frecuencia - Transición | 47GHz |
Figura de ruido (dB Typ @ f) | 0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz |
Ganancia | 9dB ~ 31dB |
Potencia - max | 160mW |
Ganancia de corriente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 160 @ 25mA, 3V |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | 45mA |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 4-SMD, Flat Leads |
Paquete del dispositivo del proveedor | 4-TSFP |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BFP740FESDH6327XTSA1 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BFP740FESDH6327XTSA1-FT |
BFG540W,115
NXP USA Inc.
BLT81,115
NXP USA Inc.
BFU590GX
NXP USA Inc.
BFG35,115
NXP USA Inc.
BFU580GX
NXP USA Inc.
BFG135,115
NXP USA Inc.
BFG31,115
NXP USA Inc.
BFG541,115
NXP USA Inc.
BFG94,115
NXP USA Inc.
BFG97,115
NXP USA Inc.
XC3S4000-4FGG676C
Xilinx Inc.
XC7A100T-L2FGG676E
Xilinx Inc.
XC6SLX150T-3FG900I
Xilinx Inc.
M2GL005-1FGG484
Microsemi Corporation
EP1S10F672C7N
Intel
10AX022E3F27E2SG
Intel
XC7VX415T-3FFG1157E
Xilinx Inc.
LCMXO640E-3M132C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBB1D4F31C5N
Intel
EPF6016QI208-3
Intel