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| Número de pieza del fabricante | MDMA50P1200TG |
|---|---|
| Número de parte futuro | FT-MDMA50P1200TG |
| SPQ / MOQ | Contáctenos |
| Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
| serie | - |
| MDMA50P1200TG Estado (ciclo de vida) | En stock |
| Estado de la pieza | Active |
| Configuración de diodo | 1 Pair Series Connection |
| Tipo de diodo | Standard |
| Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 1200V |
| Corriente - promedio rectificado (Io) (por diodo) | 50A |
| Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.18V @ 50A |
| Velocidad | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Tiempo de recuperación inverso (trr) | - |
| Corriente - Fuga inversa @ Vr | 100µA @ 1200V |
| Temperatura de funcionamiento - Unión | - |
| Tipo de montaje | Chassis Mount |
| Paquete / Caja | TO-240AA |
| Paquete del dispositivo del proveedor | TO-240AA |
| País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| MDMA50P1200TG Peso | Contáctenos |
| Número de pieza de repuesto | MDMA50P1200TG-FT |

MBRB25H50CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBRB25H50CT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBRB25H50CTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBRB25H60CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBRB25H60CTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBRB3035CTHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBRB3035CTHE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBRB30H35CTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBRB30H35CTHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBRB30H35CTHE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division

XC3S1000-4FTG256I
Xilinx Inc.

APA750-PQG208I
Microsemi Corporation

5SGXEA7K2F35I2LN
Intel

XC7K410T-L2FFG676I
Xilinx Inc.

A42MX16-PQ160A
Microsemi Corporation

LCMXO2-4000HE-5FG484I
Lattice Semiconductor Corporation

5CGXFC7D6F31I7
Intel

EP2AGX125EF35C5
Intel

EP4SGX360FF35I3
Intel

5SGSMD3H1F35C1N
Intel