casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Arreglos / MBRB30H35CTHE3/45
Número de pieza del fabricante | MBRB30H35CTHE3/45 |
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Número de parte futuro | FT-MBRB30H35CTHE3/45 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
MBRB30H35CTHE3/45 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Discontinued at Future Semiconductor |
Configuración de diodo | 1 Pair Common Cathode |
Tipo de diodo | Schottky |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 35V |
Corriente - promedio rectificado (Io) (por diodo) | 15A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 620mV @ 15A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | - |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 80µA @ 35V |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -65°C ~ 175°C |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-263AB |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBRB30H35CTHE3/45 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MBRB30H35CTHE3/45-FT |
MA3J1430GL
Panasonic Electronic Components
MA6X1250GL
Panasonic Electronic Components
MAD1105E3/TU
Microsemi Corporation
MAD1106E3/TU
Microsemi Corporation
MAD1107E3/TU
Microsemi Corporation
MB20H90CTHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
MB20H90CTHE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division
MB30H90CTHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
MB30H90CTHE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR10100CD-E1
Diodes Incorporated
A54SX16A-1TQG144I
Microsemi Corporation
A42MX16-2PQ208
Microsemi Corporation
LCMXO3L-4300E-5UWG81CTR50
Lattice Semiconductor Corporation
10CX105YF780I5G
Intel
10AX048K4F35E3SG
Intel
XC5VLX85T-1FFG1136C
Xilinx Inc.
XCV200-4BG256C
Xilinx Inc.
XC7K325T-1FFG900CES9937
Xilinx Inc.
AGL400V2-FGG144T
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-5MG132C
Lattice Semiconductor Corporation