casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / MCQ4459-TP
Número de pieza del fabricante | MCQ4459-TP |
---|---|
Número de parte futuro | FT-MCQ4459-TP |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MCQ4459-TP Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 30V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 6.5A (Ta) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 72 mOhm @ 5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.4V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 11nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 625pF @ 15V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 1.4W (Ta) |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-SOP |
Paquete / Caja | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MCQ4459-TP Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MCQ4459-TP-FT |
SI4684DY-T1-E3
Vishay Siliconix
SI4684DY-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI4686DY-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI4688DY-T1-E3
Vishay Siliconix
SI4688DY-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI4712DY-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI4752DY-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI4774DY-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI4778DY-T1-E3
Vishay Siliconix
SI4778DY-T1-GE3
Vishay Siliconix
A3P1000L-FG484
Microsemi Corporation
M1A3P600L-FGG484
Microsemi Corporation
A54SX32A-CQ256B
Microsemi Corporation
5SEEBF45C3N
Intel
5SGXEABN2F45I2N
Intel
XC6SLX45-N3CSG324C
Xilinx Inc.
XC6SLX45T-N3CSG324C
Xilinx Inc.
LFE2M20SE-7F484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090N4F40I3LG
Intel
EP2C20Q240C8N
Intel