casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / SI4778DY-T1-GE3
Número de pieza del fabricante | SI4778DY-T1-GE3 |
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Número de parte futuro | FT-SI4778DY-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SI4778DY-T1-GE3 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 25V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 8A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 23 mOhm @ 7A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 18nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±16V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 680pF @ 13V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 2.4W (Ta), 5W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-SO |
Paquete / Caja | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI4778DY-T1-GE3 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | SI4778DY-T1-GE3-FT |
SI4346DY-T1-E3
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