casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / MCB150N06YB-TP
Número de pieza del fabricante | MCB150N06YB-TP |
---|---|
Número de parte futuro | FT-MCB150N06YB-TP |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MCB150N06YB-TP Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 60V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 150A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.5 mOhm @ 50A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 69nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 3800pF @ 30V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 187W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | D2PAK |
Paquete / Caja | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MCB150N06YB-TP Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MCB150N06YB-TP-FT |
APT77N60SC6
Microsemi Corporation
APT7M120S
Microsemi Corporation
APT14M100S
Microsemi Corporation
APT18M80S
Microsemi Corporation
APT30N60SC6
Microsemi Corporation
APT38N60SC6
Microsemi Corporation
APT53N60SC6
Microsemi Corporation
APT13F120B
Microsemi Corporation
2N6782
Microsemi Corporation
2N6784
Microsemi Corporation
A40MX02-VQG80M
Microsemi Corporation
EX128-PTQG64
Microsemi Corporation
5SGXEA7N1F40C2
Intel
EP4SGX530KF43C3
Intel
A40MX04-3PLG44
Microsemi Corporation
XC5VLX220T-1FFG1738I
Xilinx Inc.
LFEC6E-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K50SBC356-2
Intel
EP20K60EFC324-1
Intel
EP2S60F1020C5
Intel