casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / APT7M120S
Número de pieza del fabricante | APT7M120S |
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Número de parte futuro | FT-APT7M120S |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | POWER MOS 8™ |
APT7M120S Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 1200V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 8A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.1 Ohm @ 3A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 1mA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 80nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 2565pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 335W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | D3Pak |
Paquete / Caja | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APT7M120S Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | APT7M120S-FT |
PH3230S,115
Nexperia USA Inc.
PH3330L,115
NXP USA Inc.
PH3430AL,115
NXP USA Inc.
PH3830L,115
NXP USA Inc.
PH3855L,115
NXP USA Inc.
PH4025L,115
NXP USA Inc.
PH4030AL,115
Nexperia USA Inc.
PH4330L,115
NXP USA Inc.
PH4530AL,115
NXP USA Inc.
PH4530L,115
NXP USA Inc.
XC6SLX150T-2CSG484I
Xilinx Inc.
M2GL010-FGG484I
Microsemi Corporation
A54SX32A-CQ256M
Microsemi Corporation
A3PN250-2VQ100
Microsemi Corporation
5SGXEA5K2F40I3L
Intel
5SGXMA9N2F45C2LN
Intel
XC7VX690T-1FF1157I
Xilinx Inc.
XC4VLX160-10FF1148C
Xilinx Inc.
XC2V8000-4FFG1152I
Xilinx Inc.
XC2V1500-5FF896I
Xilinx Inc.