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PH3830L,115 Image

NXP USA Inc. PH3830L,115

Número de pieza de MFG
PH3830L,115
Cantidad disponible
13310 Piezas
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fabricante
NXP USA Inc.
Breve descripción
TrenchMOS™ MOSFET N-CH 30V 98A LFPAK
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
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Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
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Número de pieza del fabricante PH3830L,115
Número de parte futuro FT-PH3830L,115
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Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie TrenchMOS™
PH3830L,115 Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 98A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) 5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.8 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 1mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs 33nC @ 5V
Vgs (Max) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 3190pF @ 10V
Característica FET -
Disipación de potencia (max) 62.5W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor LFPAK56, Power-SO8
Paquete / Caja SC-100, SOT-669
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
PH3830L,115 Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto PH3830L,115-FT

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