casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / MBRH200200R
Número de pieza del fabricante | MBRH200200R |
---|---|
Número de parte futuro | FT-MBRH200200R |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MBRH200200R Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Schottky, Reverse Polarity |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 200V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 200A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 920mV @ 200A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | - |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 1mA @ 200V |
Capacitancia a Vr, F | - |
Tipo de montaje | Chassis Mount |
Paquete / Caja | D-67 |
Paquete del dispositivo del proveedor | D-67 |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -55°C ~ 150°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBRH200200R Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MBRH200200R-FT |
IDW30E60AFKSA1
Infineon Technologies
IDFW40E65D1EXKSA1
Infineon Technologies
D4600U45X172XPSA1
Infineon Technologies
D2700U45X122XOSA1
Infineon Technologies
D1600U45X122XPSA1
Infineon Technologies
BAW78DE6327HTSA1
Infineon Technologies
HFA15PB60PBF
Infineon Technologies
GP2D030A060B
Global Power Technologies Group
GDP15S120B
Global Power Technologies Group
GDP24P060B
Global Power Technologies Group
A3PE600-2FGG484
Microsemi Corporation
LFE2M70E-7F1152C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F484C6N
Intel
EP20K30EFC144-3
Intel
5CGXFC4F6M11C6N
Intel
XC4010XL-3BG256I
Xilinx Inc.
XC2VP7-5FF672I
Xilinx Inc.
XC6VLX240T-3FFG1156C
Xilinx Inc.
LFE2M20E-6F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL110F780C4
Intel