casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / GDP15S120B
Número de pieza del fabricante | GDP15S120B |
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Número de parte futuro | FT-GDP15S120B |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Amp+™ |
GDP15S120B Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de diodo | Silicon Carbide Schottky |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 1200V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 15A (DC) |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.7V @ 15A |
Velocidad | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 0ns |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 100µA @ 1200V |
Capacitancia a Vr, F | 895pF @ 1V, 1MHz |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | TO-247-2 |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-247-2 |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -55°C ~ 135°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GDP15S120B Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | GDP15S120B-FT |
DPG10I300PA
IXYS
DPG10I400PA
IXYS
DPG15I200PA
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DPG15I300PA
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DSEP15-06A
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XCS20XL-4TQG144I
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XC7S50-1FGGA484I
Xilinx Inc.
A54SX08A-1FG144
Microsemi Corporation
AGLE600V5-FG256
Microsemi Corporation
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Lattice Semiconductor Corporation
EP20K1000EFC672-1
Intel
EP3C25U256C7
Intel
5SGSMD5H2F35I2LN
Intel
A1020B-PL44C
Microsemi Corporation
LFE2M35E-6F256C
Lattice Semiconductor Corporation