casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / MBRB10H45HE3/81
Número de pieza del fabricante | MBRB10H45HE3/81 |
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Número de parte futuro | FT-MBRB10H45HE3/81 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
MBRB10H45HE3/81 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de diodo | Schottky |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 45V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 10A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 850mV @ 20A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | - |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 100µA @ 45V |
Capacitancia a Vr, F | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-263AB |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -65°C ~ 175°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBRB10H45HE3/81 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MBRB10H45HE3/81-FT |
FESB16FTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
FESB16GT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FESB16GTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FESB16GTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
FESB16HTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
FESB16JT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
FESB16JTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
FESB8AT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
FESB8ATHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
FESB8BT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
EP20K30EFC144-2X
Intel
XC6VCX240T-2FFG1156I
Xilinx Inc.
A42MX24-PQ160M
Microsemi Corporation
LFEC15E-3FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M35SE-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-6SE-6FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2280C-3BN256I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC4C6F23I7N
Intel
EP2AGX65DF29C6
Intel
EP20K160EQC240-1N
Intel