casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MB85RS64TUPN-G-AMEWE1
Número de pieza del fabricante | MB85RS64TUPN-G-AMEWE1 |
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Número de parte futuro | FT-MB85RS64TUPN-G-AMEWE1 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MB85RS64TUPN-G-AMEWE1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FRAM |
Tecnología | FRAM (Ferroelectric RAM) |
Tamaño de la memoria | 64Kb (8K x 8) |
Frecuencia de reloj | 10MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | SPI |
Suministro de voltaje | 1.8V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 8-WFDFN Exposed Pad |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-SON |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MB85RS64TUPN-G-AMEWE1 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MB85RS64TUPN-G-AMEWE1-FT |
IDT71V416VS12PHGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V416VS12PHGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V416VS15PHG
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V416VS15PHG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V416VS15PHGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V416VS15PHGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
6116LA90DB
IDT, Integrated Device Technology Inc
6116SA120DB
IDT, Integrated Device Technology Inc
6116LA150DB
IDT, Integrated Device Technology Inc
6116LA25DB
IDT, Integrated Device Technology Inc
A54SX08A-PQG208A
Microsemi Corporation
M1AGL250V5-VQ100I
Microsemi Corporation
EP4CE40F23C8N
Intel
5AGXMA5D4F27I5N
Intel
XC7V585T-2FF1761I
Xilinx Inc.
LFE5U-12F-8BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA2F23I7N
Intel
10AX090R2F40E2SG
Intel
EP4CGX110DF31C8
Intel
EP2S180F1508C5
Intel