casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / 6116LA25DB
Número de pieza del fabricante | 6116LA25DB |
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Número de parte futuro | FT-6116LA25DB |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
6116LA25DB Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | SRAM |
Tecnología | SRAM - Asynchronous |
Tamaño de la memoria | 16Kb (2K x 8) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 25ns |
Tiempo de acceso | 25ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 4.5V ~ 5.5V |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 125°C (TA) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | 24-CDIP (0.600", 15.24mm) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 24-CDIP |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
6116LA25DB Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 6116LA25DB-FT |
71V416S15PHGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71016S15PHGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V416L10PHG
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V416S10PHG
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V016SA10PHG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V016SA12PHGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V016SA15PHG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V424S15PHGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V416S12PHGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V016SA12PHG
IDT, Integrated Device Technology Inc
M2GL010TS-1FG484I
Microsemi Corporation
A54SX72A-PQG208
Microsemi Corporation
10M08DAF256C7G
Intel
5SGXEA4K1F40C2N
Intel
5SGXMA3E2H29I3L
Intel
EP4CE15E22C8L
Intel
EP4S100G3F45I2
Intel
XA7A35T-2CSG324I
Xilinx Inc.
AGL250V2-FG144
Microsemi Corporation
5SGSMD4H1F35C2N
Intel