casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MB85RS512TPNF-G-JNERE1
Número de pieza del fabricante | MB85RS512TPNF-G-JNERE1 |
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Número de parte futuro | FT-MB85RS512TPNF-G-JNERE1 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MB85RS512TPNF-G-JNERE1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FRAM |
Tecnología | FRAM (Ferroelectric RAM) |
Tamaño de la memoria | 512Kb (64K x 8) |
Frecuencia de reloj | 30MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | SPI |
Suministro de voltaje | 1.8V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-SOP |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MB85RS512TPNF-G-JNERE1 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MB85RS512TPNF-G-JNERE1-FT |
IDT71V416VS15PHGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V416VS15PHGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
6116LA90DB
IDT, Integrated Device Technology Inc
6116SA120DB
IDT, Integrated Device Technology Inc
6116LA150DB
IDT, Integrated Device Technology Inc
6116LA25DB
IDT, Integrated Device Technology Inc
6116LA35DB
IDT, Integrated Device Technology Inc
6116LA45DB
IDT, Integrated Device Technology Inc
6116LA55DB
IDT, Integrated Device Technology Inc
6116LA70DB
IDT, Integrated Device Technology Inc
M2GL010TS-1FG484I
Microsemi Corporation
A54SX72A-PQG208
Microsemi Corporation
10M08DAF256C7G
Intel
5SGXEA4K1F40C2N
Intel
5SGXMA3E2H29I3L
Intel
EP4CE15E22C8L
Intel
EP4S100G3F45I2
Intel
XA7A35T-2CSG324I
Xilinx Inc.
AGL250V2-FG144
Microsemi Corporation
5SGSMD4H1F35C2N
Intel