casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MB85RC512TPNF-G-JNERE1
Número de pieza del fabricante | MB85RC512TPNF-G-JNERE1 |
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Número de parte futuro | FT-MB85RC512TPNF-G-JNERE1 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MB85RC512TPNF-G-JNERE1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FRAM |
Tecnología | FRAM (Ferroelectric RAM) |
Tamaño de la memoria | 512Kb (64K x 8) |
Frecuencia de reloj | 3.4MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | 130ns |
interfaz de memoria | I²C |
Suministro de voltaje | 1.8V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-SOP |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MB85RC512TPNF-G-JNERE1 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MB85RC512TPNF-G-JNERE1-FT |
6116LA150DB
IDT, Integrated Device Technology Inc
6116LA25DB
IDT, Integrated Device Technology Inc
6116LA35DB
IDT, Integrated Device Technology Inc
6116LA45DB
IDT, Integrated Device Technology Inc
6116LA55DB
IDT, Integrated Device Technology Inc
6116LA70DB
IDT, Integrated Device Technology Inc
6116SA150DB
IDT, Integrated Device Technology Inc
6116SA45DB
IDT, Integrated Device Technology Inc
6116SA55DB
IDT, Integrated Device Technology Inc
6116SA70DB
IDT, Integrated Device Technology Inc
LCMXO2280E-4T144C
Lattice Semiconductor Corporation
XA3S200-4PQG208Q
Xilinx Inc.
AX125-FG256I
Microsemi Corporation
5CGXFC7D6F27I7N
Intel
5SGSMD6K1F40I2N
Intel
5SGXEA4K3F35I3N
Intel
XC4010E-2HQ208C
Xilinx Inc.
A40MX04-2PL84I
Microsemi Corporation
ICE40HX8K-CT256
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX360FF35C2XN
Intel