casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MB85RC512TPNF-G-JNERE1
Número de pieza del fabricante | MB85RC512TPNF-G-JNERE1 |
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Número de parte futuro | FT-MB85RC512TPNF-G-JNERE1 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MB85RC512TPNF-G-JNERE1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FRAM |
Tecnología | FRAM (Ferroelectric RAM) |
Tamaño de la memoria | 512Kb (64K x 8) |
Frecuencia de reloj | 3.4MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | 130ns |
interfaz de memoria | I²C |
Suministro de voltaje | 1.8V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-SOP |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MB85RC512TPNF-G-JNERE1 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MB85RC512TPNF-G-JNERE1-FT |
6116LA150DB
IDT, Integrated Device Technology Inc
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