casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MB85R1002ANC-GE1
Número de pieza del fabricante | MB85R1002ANC-GE1 |
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Número de parte futuro | FT-MB85R1002ANC-GE1 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MB85R1002ANC-GE1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FRAM |
Tecnología | FRAM (Ferroelectric RAM) |
Tamaño de la memoria | 1Mb (64K x 16) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 150ns |
Tiempo de acceso | 150ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 3V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 48-TFSOP (0.488", 12.40mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 48-TSOP |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MB85R1002ANC-GE1 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MB85R1002ANC-GE1-FT |
GD5F1GQ4UFYIGY
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD5F2GQ4UEYIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD5F2GQ4UEYIGY
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD5F2GQ4UFYIGY
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD5F4GQ4RBYIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD5F4GQ4RBYIGY
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD5F4GQ4RCYIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD5F4GQ4RCYIGY
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD5F4GQ4UBYIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD5F4GQ4UBYIGY
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
LCMXO2-640UHC-4TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
A3P060-TQG144I
Microsemi Corporation
LCMXO2280E-3T144C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-640HC-6TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S400AN-4FT256C
Xilinx Inc.
M2GL090TS-1FG484I
Microsemi Corporation
5SGXMA7N3F40C3
Intel
5SGSED6K2F40I2LN
Intel
LFXP2-30E-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780I3
Intel