casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / MB10H90HE3_A/P
Número de pieza del fabricante | MB10H90HE3_A/P |
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Número de parte futuro | FT-MB10H90HE3_A/P |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
MB10H90HE3_A/P Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de diodo | Schottky |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 90V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 10A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 770mV @ 10A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | - |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 4.5µA @ 90V |
Capacitancia a Vr, F | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-263AB |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -65°C ~ 175°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MB10H90HE3_A/P Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MB10H90HE3_A/P-FT |
BYWB29-200HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYWB29-200HE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYWB29-50-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYWB29-50-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYWB29-50HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYWB29-50HE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
DTV32B-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
DTV32B-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
FESB16AT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FESB16AT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC4010E-2BG225I
Xilinx Inc.
A3P1000L-FG484I
Microsemi Corporation
A3P1000-PQ208I
Microsemi Corporation
A54SX72A-PQG208A
Microsemi Corporation
5SGXMB5R2F40C2N
Intel
5SGXEA4K1F35I2N
Intel
XC7K325T-2FF900I
Xilinx Inc.
LFEC10E-3QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-2100C-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE50F780C2
Intel