casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - RF / MA4P7470F-1072T
Número de pieza del fabricante | MA4P7470F-1072T |
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Número de parte futuro | FT-MA4P7470F-1072T |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MA4P7470F-1072T Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | PIN - Single |
Voltaje: pico inverso (máximo) | 800V |
Actual - max | 150mA |
Capacitancia a Vr, F | 0.7pF @ 100V, 100MHz |
Resistencia @ Si, F | 800 mOhm @ 100mA, 100MHz |
Disipación de potencia (max) | 4W |
Temperatura de funcionamiento | 175°C (TJ) |
Paquete / Caja | 2-SMD |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MA4P7470F-1072T Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MA4P7470F-1072T-FT |
BAP65-02,115
NXP USA Inc.
BAP70-02,115
NXP USA Inc.
BAP50-02,115
NXP USA Inc.
BAP65-02,135
NXP USA Inc.
BA277,115
NXP USA Inc.
BA277,135
NXP USA Inc.
BA277,335
NXP USA Inc.
BA278,115
NXP USA Inc.
BAP1321-02,115
NXP USA Inc.
BAP63-02,115
NXP USA Inc.
A40MX04-VQ80A
Microsemi Corporation
XCKU035-L1FBVA900I
Xilinx Inc.
AGLN030V5-ZCSG81I
Microsemi Corporation
EP3C16F484I7
Intel
EP1S20F484C7
Intel
LFXP3C-3Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-12E-5FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066N4F40I3SG
Intel
10AX090N3F40E2SG
Intel
5AGXBB1D4F31C4N
Intel