casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - RF / MA4P7006F-1072T
Número de pieza del fabricante | MA4P7006F-1072T |
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Número de parte futuro | FT-MA4P7006F-1072T |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MA4P7006F-1072T Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | PIN - Single |
Voltaje: pico inverso (máximo) | 600V |
Actual - max | - |
Capacitancia a Vr, F | - |
Resistencia @ Si, F | 900 mOhm @ 100mA, 100MHz |
Disipación de potencia (max) | 10W |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Paquete / Caja | 2-SMD |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MA4P7006F-1072T Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MA4P7006F-1072T-FT |
BAP51-02,115
NXP USA Inc.
BAP65-02,115
NXP USA Inc.
BAP70-02,115
NXP USA Inc.
BAP50-02,115
NXP USA Inc.
BAP65-02,135
NXP USA Inc.
BA277,115
NXP USA Inc.
BA277,135
NXP USA Inc.
BA277,335
NXP USA Inc.
BA278,115
NXP USA Inc.
BAP1321-02,115
NXP USA Inc.
LFXP3C-5T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC2V40-6FGG256C
Xilinx Inc.
XC7K410T-2FBV676I
Xilinx Inc.
A3P600-1FG484I
Microsemi Corporation
A3PE1500-2FGG484
Microsemi Corporation
MPF200T-FCG484E
Microsemi Corporation
A3P125-1VQG100T
Microsemi Corporation
EP3C10U256A7N
Intel
10AX027E4F29I3SG
Intel
10AX115S3F45E2LG
Intel