casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - RF / MA4P606-131
Número de pieza del fabricante | MA4P606-131 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-MA4P606-131 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MA4P606-131 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | PIN - Single |
Voltaje: pico inverso (máximo) | 1000V |
Actual - max | - |
Capacitancia a Vr, F | 0.6pF @ 100V, 1MHz |
Resistencia @ Si, F | 700 mOhm @ 100mA, 100MHz |
Disipación de potencia (max) | - |
Temperatura de funcionamiento | 175°C (TJ) |
Paquete / Caja | Die |
Paquete del dispositivo del proveedor | Die |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MA4P606-131 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MA4P606-131-FT |
HSMS-286F-TR1G
Broadcom Limited
HSMS-286F-TR2G
Broadcom Limited
HSCH-5310
Broadcom Limited
HSCH-5312
Broadcom Limited
HSCH-5314
Broadcom Limited
HSCH-5330
Broadcom Limited
HSCH-5331
Broadcom Limited
HSCH-5332
Broadcom Limited
HSCH-5340
Broadcom Limited
HSCH-5512
Broadcom Limited
MPF300T-FCVG484E
Microsemi Corporation
EP1SGX10DF672C7
Intel
5SGXEA5K2F40C2L
Intel
10M04SAU169C8G
Intel
XCKU5P-1FFVD900E
Xilinx Inc.
LFXP6C-5Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-12E-6FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090S2F45E2LG
Intel
10AX115U3F45I2LG
Intel
EP2AGX65DF29C4
Intel