casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - RF / MA4P606-131
Número de pieza del fabricante | MA4P606-131 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-MA4P606-131 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MA4P606-131 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | PIN - Single |
Voltaje: pico inverso (máximo) | 1000V |
Actual - max | - |
Capacitancia a Vr, F | 0.6pF @ 100V, 1MHz |
Resistencia @ Si, F | 700 mOhm @ 100mA, 100MHz |
Disipación de potencia (max) | - |
Temperatura de funcionamiento | 175°C (TJ) |
Paquete / Caja | Die |
Paquete del dispositivo del proveedor | Die |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MA4P606-131 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MA4P606-131-FT |
HSMS-286F-TR1G
Broadcom Limited
HSMS-286F-TR2G
Broadcom Limited
HSCH-5310
Broadcom Limited
HSCH-5312
Broadcom Limited
HSCH-5314
Broadcom Limited
HSCH-5330
Broadcom Limited
HSCH-5331
Broadcom Limited
HSCH-5332
Broadcom Limited
HSCH-5340
Broadcom Limited
HSCH-5512
Broadcom Limited
AT40K20-2DQC
Microchip Technology
5AGXBA1D4F27I5N
Intel
EP4SE530H35I4N
Intel
XC2VP30-5FFG1152I
Xilinx Inc.
XC6SLX45-3CSG324I
Xilinx Inc.
AGLP125V5-CSG289I
Microsemi Corporation
LFE2M70E-5F900C
Lattice Semiconductor Corporation
AT40K10LV-3AJI
Microchip Technology
10AX057N2F40I1SG
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5SGSMD4H3F35I3N
Intel