casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - RF / HSCH-5330
Número de pieza del fabricante | HSCH-5330 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-HSCH-5330 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
HSCH-5330 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de diodo | Schottky - Single |
Voltaje: pico inverso (máximo) | 4V |
Actual - max | - |
Capacitancia a Vr, F | 0.1pF @ 0V, 1MHz |
Resistencia @ Si, F | 20 Ohm @ 5mA, 1MHz |
Disipación de potencia (max) | 1W |
Temperatura de funcionamiento | -65°C ~ 175°C (TJ) |
Paquete / Caja | 2-SMD, Beam Lead |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HSCH-5330 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | HSCH-5330-FT |
HSMP-386C-TR2G
Broadcom Limited
HSMP-386E-BLKG
Broadcom Limited
HSMP-386E-TR1G
Broadcom Limited
HSMP-386E-TR2G
Broadcom Limited
HSMP-386F-BLKG
Broadcom Limited
HSMP-386F-TR1
Broadcom Limited
HSMP-386F-TR1G
Broadcom Limited
HSMP-386F-TR2G
Broadcom Limited
HSMP-389B-BLKG
Broadcom Limited
HSMP-389B-TR1G
Broadcom Limited
A3P030-1QNG68
Microsemi Corporation
XC2V250-5FGG256I
Xilinx Inc.
XC6SLX75T-3FG676I
Xilinx Inc.
XC3S1600E-5FG484C
Xilinx Inc.
XC7A75T-3FGG484E
Xilinx Inc.
M1AFS1500-FGG484I
Microsemi Corporation
5SGXEA7N3F40C2
Intel
XC7A200T-2FB676I
Xilinx Inc.
XC7K325T-L2FFG676E
Xilinx Inc.
EP4SGX110FF35C4N
Intel