casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / M58BW016FB7T3T TR
Número de pieza del fabricante | M58BW016FB7T3T TR |
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Número de parte futuro | FT-M58BW016FB7T3T TR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
M58BW016FB7T3T TR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NOR |
Tamaño de la memoria | 16Mb (512K x 32) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | 70ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 125°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 80-BQFP |
Paquete del dispositivo del proveedor | 80-PQFP (19.9x13.9) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M58BW016FB7T3T TR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | M58BW016FB7T3T TR-FT |
M29W640GSH70ZF6E
Micron Technology Inc.
M29W640GSL70ZS6F TR
Micron Technology Inc.
M29W640GT60NA6E
Micron Technology Inc.
M29W640GT60ZA6E
Micron Technology Inc.
M29W640GT70N3F TR
Micron Technology Inc.
M29W640GT70NA6F TR
Micron Technology Inc.
M29W640GT70ZA6F TR
Micron Technology Inc.
M29W640GT70ZS6E
Micron Technology Inc.
M29W640GT70ZS6F TR
Micron Technology Inc.
M29W640GT7AN6E
Micron Technology Inc.
XC2V3000-5FGG676I
Xilinx Inc.
M2GL025TS-1FCSG325I
Microsemi Corporation
AX125-1FG256I
Microsemi Corporation
EP4CGX50DF27C7
Intel
EP3SL70F484I3N
Intel
EP2AGX45DF25C6
Intel
5SGXMB9R3H43C3N
Intel
XC5VSX240T-2FF1738CES
Xilinx Inc.
XC2VP4-5FF672C
Xilinx Inc.
LFE3-95EA-7LFN1156C
Lattice Semiconductor Corporation