casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / M29W640GT7AN6E
Número de pieza del fabricante | M29W640GT7AN6E |
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Número de parte futuro | FT-M29W640GT7AN6E |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
M29W640GT7AN6E Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NOR |
Tamaño de la memoria | 64Mb (8M x 8, 4M x 16) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 70ns |
Tiempo de acceso | 70ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 48-TSOP |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M29W640GT7AN6E Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | M29W640GT7AN6E-FT |
M29W128GL70N3F TR
Micron Technology Inc.
M29W128GL70ZA3E
Micron Technology Inc.
M29W128GL70ZA6DE
Micron Technology Inc.
M29W128GL70ZA6F TR
Micron Technology Inc.
M29W128GL70ZS3E
Micron Technology Inc.
M29W128GL70ZS3F TR
Micron Technology Inc.
M29W128GL70ZS6F TR
Micron Technology Inc.
M29W128GL7AN6E
Micron Technology Inc.
M29W128GL7AN6F TR
Micron Technology Inc.
M29W128GL7AZA6E
Micron Technology Inc.
A3P400-1FGG256
Microsemi Corporation
M2GL050S-1VFG400I
Microsemi Corporation
EPF10K10ATC100-3
Intel
EP4CE15F23C7
Intel
A1010B-1PL44I
Microsemi Corporation
XC2VP7-6FFG672I
Xilinx Inc.
APA600-FGG676I
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-5FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGTFD7D5F31I7N
Intel
10AX115R1F40E1SG
Intel