casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Puentes Rectificadores / M50100TB1200
Número de pieza del fabricante | M50100TB1200 |
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Número de parte futuro | FT-M50100TB1200 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
M50100TB1200 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Three Phase |
Tecnología | Standard |
Voltaje: pico inverso (máximo) | 1.2kV |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 100A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.2V @ 100A |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | - |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 125°C (TJ) |
Tipo de montaje | Chassis Mount |
Paquete / Caja | Module |
Paquete del dispositivo del proveedor | Module |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M50100TB1200 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | M50100TB1200-FT |
GBJ801
Diodes Incorporated
GBJ602-F
Diodes Incorporated
GBJ1501-F
Diodes Incorporated
GBJ1508-F
Diodes Incorporated
GBJ606-F
Diodes Incorporated
GBJ608-F
Diodes Incorporated
GBJ1502-F
Diodes Incorporated
GBJ610-F
Diodes Incorporated
GBJ1008-F
Diodes Incorporated
GBJ8005
Diodes Incorporated
APA150-PQ208I
Microsemi Corporation
EP3CLS200F484C8
Intel
EP1K100FI256-2N
Intel
5SGXMA7N2F45C3
Intel
5SGXMA7K3F35C4
Intel
A3P125-2FGG144
Microsemi Corporation
LCMXO2280E-4B256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95EA-7LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090N2F45E1SG
Intel
EP4SGX180FF35I4N
Intel