casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / M48Z02-150PC1
Número de pieza del fabricante | M48Z02-150PC1 |
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Número de parte futuro | FT-M48Z02-150PC1 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
M48Z02-150PC1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | NVSRAM |
Tecnología | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
Tamaño de la memoria | 16Kb (2K x 8) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 150ns |
Tiempo de acceso | 150ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 4.75V ~ 5.5V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | 24-DIP Module (0.600", 15.24mm) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 24-PCDIP, CAPHAT® |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M48Z02-150PC1 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | M48Z02-150PC1-FT |
TC58BVG1S3HTAI0
Toshiba Memory America, Inc.
TC58NVG1S3ETA00
Toshiba Memory America, Inc.
TC58NVG1S3ETAI0
Toshiba Memory America, Inc.
TC58NVG1S3HTA00
Toshiba Memory America, Inc.
TC58NVG2S0FTA00
Toshiba Memory America, Inc.
TC58NVG2S0HTAI0
Toshiba Memory America, Inc.
TC58NVG3S0FTA00
Toshiba Memory America, Inc.
TH58NVG2S3HTAI0
Toshiba Memory America, Inc.
TH58NVG3S0HTA00
Toshiba Memory America, Inc.
TH58NVG4S0FTA20
Toshiba Memory America, Inc.
XA3S1600E-4FG400I
Xilinx Inc.
XA3S250E-4VQG100I
Xilinx Inc.
M2GL090T-FCSG325I
Microsemi Corporation
EP4CE15F17A7N
Intel
ICE40LM2K-CM36
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC10E-3QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-150EA-7LFN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE50F780I3N
Intel
EP2AGZ300FF35I4N
Intel