casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / M29W640GL7ANB6F TR
Número de pieza del fabricante | M29W640GL7ANB6F TR |
---|---|
Número de parte futuro | FT-M29W640GL7ANB6F TR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
M29W640GL7ANB6F TR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NOR |
Tamaño de la memoria | 64Mb (8M x 8, 4M x 16) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 70ns |
Tiempo de acceso | 70ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 56-TSOP |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M29W640GL7ANB6F TR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | M29W640GL7ANB6F TR-FT |
M29W128GH70N3E
Micron Technology Inc.
M29W128GH70N3F TR
Micron Technology Inc.
M29W128GH70ZA3E
Micron Technology Inc.
M29W128GH70ZA6F TR
Micron Technology Inc.
M29W128GH70ZS3E
Micron Technology Inc.
M29W128GH70ZS6F TR
Micron Technology Inc.
M29W128GH7AN6E
Micron Technology Inc.
M29W128GH7AN6F TR
Micron Technology Inc.
M29W128GH7AZA6E
Micron Technology Inc.
M29W128GH7AZS6E
Micron Technology Inc.