casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / M29W128GH70ZS6F TR
Número de pieza del fabricante | M29W128GH70ZS6F TR |
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Número de parte futuro | FT-M29W128GH70ZS6F TR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
M29W128GH70ZS6F TR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NOR |
Tamaño de la memoria | 128Mb (16M x 8, 8M x 16) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 70ns |
Tiempo de acceso | 70ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 64-LBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 64-FBGA (11x13) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M29W128GH70ZS6F TR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | M29W128GH70ZS6F TR-FT |
M29F040B90N1
Micron Technology Inc.
M29F040B90N1T TR
Micron Technology Inc.
M29F040B90N6
Micron Technology Inc.
M29F080D70M6
STMicroelectronics
M29F080D70N6
Micron Technology Inc.
M29F080D70N6E
Micron Technology Inc.
M29F160FB55N3E2
Micron Technology Inc.
M29F160FB55N3F2 TR
Micron Technology Inc.
M29F160FB5AN6E2
Micron Technology Inc.
M29F160FB5AN6F2 TR
Micron Technology Inc.