casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / M29W640GH7ANB6E
Número de pieza del fabricante | M29W640GH7ANB6E |
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Número de parte futuro | FT-M29W640GH7ANB6E |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
M29W640GH7ANB6E Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NOR |
Tamaño de la memoria | 64Mb (8M x 8, 4M x 16) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 70ns |
Tiempo de acceso | 70ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 56-TSOP |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M29W640GH7ANB6E Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | M29W640GH7ANB6E-FT |
M29W064FB6AZA6F TR
Micron Technology Inc.
M29W064FB70N3F TR
Micron Technology Inc.
M29W064FT6AZA6E
Micron Technology Inc.
M29W064FT6AZA6F TR
Micron Technology Inc.
M29W064FT70N3E
Micron Technology Inc.
M29W064FT70N3F TR
Micron Technology Inc.
M29W128GH60ZA6E
Micron Technology Inc.
M29W128GH70N3E
Micron Technology Inc.
M29W128GH70N3F TR
Micron Technology Inc.
M29W128GH70ZA3E
Micron Technology Inc.
XCV150-4FG256C
Xilinx Inc.
XA3S100E-4VQG100Q
Xilinx Inc.
XC4013-5PQ208C
Xilinx Inc.
M2GL025T-1VFG400
Microsemi Corporation
EP2C35U484C8
Intel
EPF10K200SFC484-2
Intel
EP4SGX290KF40I3
Intel
A40MX04-FPLG84
Microsemi Corporation
10AX032E2F27E1HG
Intel
EP4SGX230HF35I4N
Intel