casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / M29W064FT6AZA6E
Número de pieza del fabricante | M29W064FT6AZA6E |
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Número de parte futuro | FT-M29W064FT6AZA6E |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
M29W064FT6AZA6E Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NOR |
Tamaño de la memoria | 64Mb (8M x 8, 4M x 16) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 60ns |
Tiempo de acceso | 60ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 48-TFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 48-TFBGA (6x8) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M29W064FT6AZA6E Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | M29W064FT6AZA6E-FT |
M29F040B55N1
Micron Technology Inc.
M29F040B70K1
Micron Technology Inc.
M29F040B70K6
Micron Technology Inc.
M29F040B70K6E TR
Micron Technology Inc.
M29F040B70N1
Micron Technology Inc.
M29F040B70N1T TR
Micron Technology Inc.
M29F040B70N6
Micron Technology Inc.
M29F040B70N6E
Micron Technology Inc.
M29F040B90K1
Micron Technology Inc.
M29F040B90K6
Micron Technology Inc.