casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / M29W640GB70NA6F TR
Número de pieza del fabricante | M29W640GB70NA6F TR |
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Número de parte futuro | FT-M29W640GB70NA6F TR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
M29W640GB70NA6F TR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NOR |
Tamaño de la memoria | 64Mb (8M x 8, 4M x 16) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 70ns |
Tiempo de acceso | 70ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 48-TSOP |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M29W640GB70NA6F TR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | M29W640GB70NA6F TR-FT |
M29W010B70N6F TR
Micron Technology Inc.
M29W010B90K1
Micron Technology Inc.
M29W040B55K6E
Micron Technology Inc.
M29W040B55N1
Micron Technology Inc.
M29W040B70N6E
Micron Technology Inc.
M29W040B90K1
STMicroelectronics
M29W040B90K1E
Micron Technology Inc.
M29W040B90K6
Micron Technology Inc.
M29W040B90N1
Micron Technology Inc.
M29W064FB6AZA6E
Micron Technology Inc.
XCKU035-1FBVA676I
Xilinx Inc.
XC3S100E-4VQ100C
Xilinx Inc.
M2GL090TS-1FCSG325I
Microsemi Corporation
A3PE3000-2FGG484I
Microsemi Corporation
A3PN030-Z1QNG48I
Microsemi Corporation
M1A3P250-2PQG208
Microsemi Corporation
EP4CE10F17A7N
Intel
EPF10K30EFC256-3
Intel
LFE2-20E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K100EFC324-1
Intel