casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / M29W040B70N6E
Número de pieza del fabricante | M29W040B70N6E |
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Número de parte futuro | FT-M29W040B70N6E |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
M29W040B70N6E Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NOR |
Tamaño de la memoria | 4Mb (512K x 8) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 70ns |
Tiempo de acceso | 70ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 32-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 32-TSOP |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M29W040B70N6E Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | M29W040B70N6E-FT |
M29F010B70K6F TR
Micron Technology Inc.
M29F010B70K6T
STMicroelectronics
M29F010B70N6E
Micron Technology Inc.
M29F016D70N6
Micron Technology Inc.
M29F032D70N6T TR
Micron Technology Inc.
M29F040B45K1
Micron Technology Inc.
M29F040B45K1T
STMicroelectronics
M29F040B45K6E
Micron Technology Inc.
M29F040B55N1
Micron Technology Inc.
M29F040B70K1
Micron Technology Inc.
LCMXO2-2000ZE-1TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
AGLN125V5-CSG81
Microsemi Corporation
A54SX16A-1FGG256M
Microsemi Corporation
A3P250-2VQ100
Microsemi Corporation
10M04DAF256C7G
Intel
EP4CE6F17C8
Intel
XC5VLX50-1FFG676CES
Xilinx Inc.
LFXP6C-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-70SE-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SE230F29C3N
Intel