casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / M29W640GB70N3E
Número de pieza del fabricante | M29W640GB70N3E |
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Número de parte futuro | FT-M29W640GB70N3E |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
M29W640GB70N3E Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NOR |
Tamaño de la memoria | 64Mb (8M x 8, 4M x 16) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 70ns |
Tiempo de acceso | 70ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 125°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 48-TSOP |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M29W640GB70N3E Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | M29W640GB70N3E-FT |
M29W010B70N1
Micron Technology Inc.
M29W010B70N6E
Micron Technology Inc.
M29W010B70N6F TR
Micron Technology Inc.
M29W010B90K1
Micron Technology Inc.
M29W040B55K6E
Micron Technology Inc.
M29W040B55N1
Micron Technology Inc.
M29W040B70N6E
Micron Technology Inc.
M29W040B90K1
STMicroelectronics
M29W040B90K1E
Micron Technology Inc.
M29W040B90K6
Micron Technology Inc.
EPF8820ATC144-3
Intel
M2GL025T-1FG484
Microsemi Corporation
5SGXEB6R2F43C2L
Intel
EP4SE360F35C4
Intel
XC5VLX50T-3FF1136C
Xilinx Inc.
XC7K355T-1FFG901C
Xilinx Inc.
A54SX16A-1TQ100I
Microsemi Corporation
A40MX04-PQ100M
Microsemi Corporation
EP3CLS100F780I7
Intel
EP1S25F1020I6N
Intel