casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / M29W640GB60ZA6E
Número de pieza del fabricante | M29W640GB60ZA6E |
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Número de parte futuro | FT-M29W640GB60ZA6E |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
M29W640GB60ZA6E Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NOR |
Tamaño de la memoria | 64Mb (8M x 8, 4M x 16) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 60ns |
Tiempo de acceso | 60ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 48-TFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 48-TFBGA (6x8) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M29W640GB60ZA6E Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | M29W640GB60ZA6E-FT |
M29F800FT5AN6E2
Micron Technology Inc.
M29W008AT120N6T TR
Micron Technology Inc.
M29W010B70K6E
Micron Technology Inc.
M29W010B70N1
Micron Technology Inc.
M29W010B70N6E
Micron Technology Inc.
M29W010B70N6F TR
Micron Technology Inc.
M29W010B90K1
Micron Technology Inc.
M29W040B55K6E
Micron Technology Inc.
M29W040B55N1
Micron Technology Inc.
M29W040B70N6E
Micron Technology Inc.
XCV150-4FG256C
Xilinx Inc.
XA3S100E-4VQG100Q
Xilinx Inc.
XC4013-5PQ208C
Xilinx Inc.
M2GL025T-1VFG400
Microsemi Corporation
EP2C35U484C8
Intel
EPF10K200SFC484-2
Intel
EP4SGX290KF40I3
Intel
A40MX04-FPLG84
Microsemi Corporation
10AX032E2F27E1HG
Intel
EP4SGX230HF35I4N
Intel