casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / M29W400DB70N6E
Número de pieza del fabricante | M29W400DB70N6E |
---|---|
Número de parte futuro | FT-M29W400DB70N6E |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
M29W400DB70N6E Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NOR |
Tamaño de la memoria | 4Mb (512K x 8, 256K x 16) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 70ns |
Tiempo de acceso | 70ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 48-TSOP |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M29W400DB70N6E Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | M29W400DB70N6E-FT |
M28W640FCT70N6E
Micron Technology Inc.
M28W640FCT70N6F TR
Micron Technology Inc.
M28W640HCB70N6E
Micron Technology Inc.
M28W640HCB70N6F TR
Micron Technology Inc.
M28W640HCT70N6F TR
Micron Technology Inc.
M29DW323DB70N6
Micron Technology Inc.
M29DW323DB70N6E
Micron Technology Inc.
M29DW323DB70N6F TR
Micron Technology Inc.
M29DW323DT70N6E
Micron Technology Inc.
M29DW323DT70N6F TR
Micron Technology Inc.
XC2V3000-5FGG676I
Xilinx Inc.
M2GL025TS-1FCSG325I
Microsemi Corporation
AX125-1FG256I
Microsemi Corporation
EP4CGX50DF27C7
Intel
EP3SL70F484I3N
Intel
EP2AGX45DF25C6
Intel
5SGXMB9R3H43C3N
Intel
XC5VSX240T-2FF1738CES
Xilinx Inc.
XC2VP4-5FF672C
Xilinx Inc.
LFE3-95EA-7LFN1156C
Lattice Semiconductor Corporation